中芯国际是中国最大的集成电路制造企业，同时也是全球第三大晶圆代工厂。尽管美国对中国芯片产业发起了多轮制裁，中芯国际仍然致力于自主创新，不断提升技术水平和产能规模，为中国乃至全球的芯片供应做出了巨大贡献。最近，一家美国媒体报道称，由于中芯国际在7纳米及以下工艺方面取得了突破性进展，美国对其实施的“新规”已经无法阻挡其发展步伐。
据报道，美国商务部在去年9月份发布公告，将中芯国际及其部分子公司和参股公司列入“实体清单”，要求美国供应商向中芯国际出口某些产品时需要申请许可证。这项决定被认为是美国试图打击中国芯片产业的一项重要措施，其目的在于封锁中芯国际获取先进光刻机等关键设备和材料的渠道。
然而，中芯国际在那之后并没有停下他们的技术升级和扩产计划。相反地，在2021年二季度的财报中，该公司报告了月产能提升了4%的情况，但产能利用率仍高达99.6%。而且，该公司的净利润同比增长了4倍。
令人惊讶的是，在今年8月5日的投资者电话会议上，中芯国际的联席CEO赵海军透露了一项重大消息：公司已经开始为客户生产7纳米及以下工艺节点的样品，并计划在2022年第二季度开始量产。
中芯国际已经成功跨越式发展，从14纳米到7纳米及以下工艺节点，这让他们与台积电等全球领先厂商变得更加接近。据悉，目前全球只有少数几家企业能够掌握7纳米及以下工艺技术，并且这些技术都需要依赖荷兰ASML公司生产的极紫外光刻机（EUV）。然而，由于美国对华为、中兴等中国企业实施出口限制后，中芯国际的订单也减少了，这也导致ASML暂停向中国出口EUV光刻机。
中芯国际是如何实现7纳米及以下工艺节点的呢？在缺乏EUV光刻机的情况下，据赵海军介绍，中芯国际采用了多层曝光技术（MLE）。这意味着，他们使用多次曝光来实现单次曝光所需的效果。虽然中芯国际非常理解人们对他们的期望很高，但是集成电路的发展是一个非常复杂的过程，需要各种方面的协作和支持。他们将尽最大努力，但也希望人们能够给予他们一些时间和空间。
中芯国际的这一消息引起了美国媒体的关注。美国《华尔街日报》在8月6日发表了一篇题为《中国芯片制造商中芯国际宣布技术突破》的报道，称中芯国际已经“弯道超车”，并指出美国对其实施的“新规”已经无用武之地。
据报道，中芯国际采用多层曝光技术（MLE）来制造7纳米及以下工艺节点的芯片，这是一种具有“创新性”的方法。虽然成本更高，效率更低，良品率更低，但是这种方法可以规避美国对EUV光刻机的出口限制。
该报道还引用了一位未透露姓名的分析师的观点，称中芯国际在7纳米及以下工艺方面取得了“惊人的”进展，并预测该公司将在未来几年迎来爆发式增长。
实际上，除了7纳米及以下的工艺节点，中芯国际在其他方面也有卓越的表现。据赵海军介绍，在14纳米工艺方面，中芯国际已经达到每月10万片晶圆的生产能力，并有望在今年年底达到每月15万片晶圆。此外，在28纳米工艺方面，中芯国际也占有领先优势，已经开始为客户提供22纳米FD-SOI（全耗尽硅绝缘体）工艺服务。这种工艺具有低功耗、高性能和高可靠性等特点，在物联网、5G、人工智能等领域有着广泛应用前景。
中美之间的贸易关系使得美国对中国芯片产业施加压力的情况越来越严重。然而，在这样的背景下，中芯国际凭借着其坚韧不拔的精神和自主创新的能力，在全球半导体市场上展现出了强劲的竞争力和不可阻挡的发展势头。正如赵海军所言：“只要我们坚持自主创新和开放合作，与客户、供应商和合作伙伴保持密切的沟通和协调，我们相信我们可以共同应对挑战和机遇。”
